بعد خمسة أشهر من بدء سامسونج للإنتاج الضخم لرقاقة الذاكرة العشوائية Samsung 12GB LPDDR5، فقد بدأت الشركة الكورية الجنوبية الآن في الإنتاج الضخم لرقاقة الذاكرة العشوائية Samsung 16GB LPPDR5 في مصنعها المتواجد في بيونغتايك. أعلنت الشركة على موقعها الرسمي على شبكة الإنترنت أن رقاقة الذاكرة العشوائية هذه تستند على الجيل الثاني من تكنولوجيا 10 نانومتر، وتوفر سرعة نقل بيانات تصل إلى 5500 ميغابايت في الثانية.
تتألف المنصة من ثماني طبقات 12Gb وأربع طبقات 8Gb، مما يوفر ضعف سعة DRAM الموجودة في العديد من الحواسيب المحمولة الرائدة وحواسيب الألعاب اليوم على حد تعبير البيان الصحفي الصادر من شركة سامسونج. إن السبب وراء التطوير المستمر للتكنولوجيا وزيادة السعة هو إرتفاع الطلب على الطاقة والأداء والسرعة وميزات 5G والذكاء الإصطناعي المُحسن مثل التصوير الذكي.
أعلنت شركة سامسونج أيضًا عن خطط لإنتاج منتجات 16Gb LPPDR5 بإستخدام الجيل الثالث من تكنولوجيا التصنيع 10 نانومتر في وقت لاحق من هذا العام، وهذا هو الأمر الذي من شأنه أن يرفع سرعة نقل البيانات إلى 6400 ميغابت في الثانية. وبهذه الطريقة، يُمكن للشركة الكورية الجنوبية رفع قدرتها التنافسية في سوق الأجهزة المحمولة والحواسيب المتقدمة والسيارات
